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GT8101是OETY歐億體育2021年研發(fā)的一款100V VBOOT 電壓的MOSFET驅(qū)動器，提供1A的驅(qū)動電流能力，性能優(yōu)良，掩護周全，外圍電路精練。

GT8101基本參數(shù)

? 100V VBOOT 電壓

? 事情電壓5.5V至20V

? 1A驅(qū)動電流能力，驅(qū)動1nF負載時，上升及下降時間20nS

? 提供Shoot-Through掩護可有用防止上下管同時導通導致芯片或MOSFET損壞

? 自力的 High- and Low-Side Under-Voltage 掩護

? 工業(yè)級–40 °C to +125 °C 事情溫度規(guī)模

? SOP-8L封裝

GT8101三大優(yōu)勢集于一shen

1、強悍的抗負壓能力，顯著提高系統(tǒng)可靠性

GT8101系列產(chǎn)物對于可能因負壓攻擊造成芯片損傷的管腳做了強化設計，可遭受-7V直流電壓，無需特另外掩護元件，提高系統(tǒng)可靠性的同時，對PCB結(jié)構(gòu)布線更友好。市chang上同類產(chǎn)物中抗負壓強度大多為-0.3V/-1V。

2、內(nèi)置自舉二極管，外圍線路精練，節(jié)約PCB面積和BOM成本

GT8101外圍僅需兩個電容和一個電阻。比起市面上同類的產(chǎn)物多達15個的外圍器件， GT8101極大地節(jié)約了PCB面積和BOM成本。

3、自順應的死區(qū)時間控制，掩護芯片的同時最洪流平提升系統(tǒng)效率。

半橋驅(qū)動產(chǎn)物需要保證兩個MOSFET中只有一個在任何給定的時間是開啟的，若是統(tǒng)一側(cè)的兩個MOSFET同時開啟，會導致電源短路到地，發(fā)生直通電流（shoot-through），過量的shoot-through會導致MOSFET功率耗散更大，甚至損壞MOSFET。

減小shoot-through的方式通？梢苑殖殺歡幕蛘咦遠。被動的shoot-through掩護可以通過實現(xiàn)高側(cè)和低柵極驅(qū)動器之間的延遲，雖然簡樸，但所需延遲時間較長；自動的shoot-through掩護可通過監(jiān)測柵極驅(qū)動輸出和開樞紐點上的電壓，以確定何時開關MOSFET。但柵極驅(qū)動和返回路徑中的高電流和快速開關電壓可能引起寄生振鈴，使MOSFET重新打開，而且驅(qū)動器無法監(jiān)測MOSFET內(nèi)部的柵極電壓。

OETY歐億體育的GT8101產(chǎn)物接納自動和被動團結(jié)的自順應的死區(qū)時間控制，監(jiān)測柵極驅(qū)動輸出和開樞紐點上的電壓，以確保兩個MOSFET差異時開啟，最大限度地鐫汰射穿電流，防止由于shoot-through造成的芯片的損壞的同時，并最可能的減小死區(qū)時間，最小35nS，從而提高了系統(tǒng)效率。

現(xiàn)在OETY歐億體育GT8101 MOFSET半橋驅(qū)動產(chǎn)物已實現(xiàn)量產(chǎn)，主要應用于電子助力轉(zhuǎn)向（EPS）、車載空調(diào)系統(tǒng)等領域。除了芯片產(chǎn)物本shen，OETY歐億體育還將憑證客戶需求提供硬件及軟件（算法）設計等定制化解決方案。

OETY歐億體育半導體一直致力于順應市chang趨勢為客戶提供精彩的產(chǎn)物和服務。未來，OETY歐億體育將一連提升自主研發(fā)創(chuàng)新水平，牢靠在非易失性存儲芯片領域的市chang領先職位，富厚在驅(qū)動芯片等領域的產(chǎn)物結(jié)構(gòu)，與行業(yè)同伴深化相助，配合為工業(yè)升級和社會智能化生長賦能。